Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
16 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-3BPL
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.3 x 5.3 x 29мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 99 | P.O.A. |
100 - 249 | P.O.A. |
250 - 499 | P.O.A. |
500 - 999 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
16 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-3BPL
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
20.3 x 5.3 x 29мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.