Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A dc
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 V dc
Высота
16.12мм
Ширина
4.9мм
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
10.63 x 4.9 x 16.12мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.63мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A dc
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 V dc
Высота
16.12мм
Ширина
4.9мм
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
10.63 x 4.9 x 16.12мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.63мм
Страна происхождения
Korea, Republic Of