ON Semiconductor MJE5852G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Czech Republic
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Czech Republic