onsemi MJE5730G PNP Digital Transistor, -300 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 186-7412Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJE5730G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.53 x 4.83 x 9.28мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

onsemi MJE5730G PNP Digital Transistor, -300 V, 3-Pin TO-220

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

onsemi MJE5730G PNP Digital Transistor, -300 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.53 x 4.83 x 9.28мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China