onsemi MJD50T4G NPN Transistor, 1 A, 400 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 688-1518Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD50T4G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

тг 268,20

тг 134,10 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi MJD50T4G NPN Transistor, 1 A, 400 V, 3-Pin DPAK

2

Доступно в кратности 2
2тг 268,20
4тг 536,40
6тг 804,60
8тг 1 072,80
10тг 1 341,00
12тг 1 609,20
14тг 1 877,40
16тг 2 145,60
18тг 2 413,80
20тг 2 682,00
22тг 2 950,20
24тг 3 218,40
26тг 3 486,60
28тг 3 754,80
30тг 4 023,00

тг 268,20

тг 134,10 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi MJD50T4G NPN Transistor, 1 A, 400 V, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2тг 268,20
4тг 536,40
6тг 804,60
8тг 1 072,80
10тг 1 341,00
12тг 1 609,20
14тг 1 877,40
16тг 2 145,60
18тг 2 413,80
20тг 2 682,00
22тг 2 950,20
24тг 3 218,40
26тг 3 486,60
28тг 3 754,80
30тг 4 023,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 134,10тг 268,20
20 - 38тг 134,10тг 268,20
40 - 98тг 116,22тг 232,44
100 - 198тг 111,75тг 223,50
200+тг 107,28тг 214,56

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

30

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

500 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм