ON Semiconductor MJD44H11G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
85 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
тг 3 754,80
тг 187,74 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
20
тг 3 754,80
тг 187,74 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 187,74 | тг 3 754,80 |
| 100 - 180 | тг 125,16 | тг 2 503,20 |
| 200 - 380 | тг 120,69 | тг 2 413,80 |
| 400 - 980 | тг 116,22 | тг 2 324,40 |
| 1000+ | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
60
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
85 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.