onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 163-2498Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD31CT4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,2 В

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK

P.O.A.

onsemi MJD31CT4G NPN Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,2 В

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.