Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.