ON Semiconductor MJD243T4G Транзистор

Код товара RS: 125-0071Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD243T4G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MJD243T4G Транзистор

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MJD243T4G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.