onsemi MJD200G NPN Transistor, 5 mA, 25 V, 4-Pin DPAK

Код товара RS: 178-4812Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD200G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD200G NPN Transistor, 5 mA, 25 V, 4-Pin DPAK

P.O.A.

onsemi MJD200G NPN Transistor, 5 mA, 25 V, 4-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

25 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

8 В

Максимальная рабочая частота

10 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C