ON Semiconductor MJD127T4G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 463-111Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD127T4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

2.38мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

тг 1 966,80

тг 98,34 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

ON Semiconductor MJD127T4G Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 1 966,80

тг 98,34 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

ON Semiconductor MJD127T4G Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 20тг 98,34тг 1 966,80
40 - 80тг 80,46тг 1 609,20
100 - 180тг 75,99тг 1 519,80
200 - 380тг 75,99тг 1 519,80
400+тг 71,52тг 1 430,40

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

2.38мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.