onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 688-1509Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD122G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать

тг 447,00

тг 223,50 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK
Select packaging type

тг 447,00

тг 223,50 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi MJD122G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 18тг 223,50тг 447,00
20 - 38тг 169,86тг 339,72
40 - 98тг 165,39тг 330,78
100 - 198тг 107,28тг 214,56
200+тг 102,81тг 205,62
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать