ON Semiconductor MJD122G Пара Дарлингтона

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Ширина

6.22мм

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Czech Republic