onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 688-1505Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD117T4G
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.02mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

onsemi MJD117T4G PNP Darlington Transistor, 4 A 100 V HFE:200, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
2 - 18P.O.A.
20 - 38P.O.A.
40 - 98P.O.A.
100 - 198P.O.A.
200+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.02mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Ширина

6.22мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Информация о товаре

PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.