ON Semiconductor MJD117T4G Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.02mA
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.02mA
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Ширина
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.