ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 790-5315Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJD112-1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.35мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

6.35мм

Ширина

2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

тг 5 565,15

тг 371,01 Each (In a Pack of 15) (ex VAT)

ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 5 565,15

тг 371,01 Each (In a Pack of 15) (ex VAT)

ON Semiconductor MJD112-1G Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
15 - 15тг 371,01тг 5 565,15
30 - 60тг 362,07тг 5 431,05
75 - 135тг 357,60тг 5 364,00
150 - 285тг 227,97тг 3 419,55
300+тг 223,50тг 3 352,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

20мкА

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.35мм

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.73мм

Высота

6.35мм

Ширина

2.38мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.