ON Semiconductor MJ802G Транзистор

Код товара RS: 125-0069Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJ802G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Количество элементов на ИС

1

Число контактов

2

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное напряжение эмиттер-база

4 В

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

90 В

Тип корпуса

TO-204AA

Размеры

39.37 x 26.67 x 8.51мм

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Батареи

3 x AAA Battery

Страна происхождения

Mexico

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MJ802G Транзистор

P.O.A.

ON Semiconductor MJ802G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Количество элементов на ИС

1

Число контактов

2

Конфигурация транзистора

Одинарный

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

25

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное напряжение эмиттер-база

4 В

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

90 В

Тип корпуса

TO-204AA

Размеры

39.37 x 26.67 x 8.51мм

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Батареи

3 x AAA Battery

Страна происхождения

Mexico