ON Semiconductor MJ802G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
90 В
Тип корпуса
TO-204AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
4 В
Число контактов
2
Количество элементов на ИС
1
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
90 В
Тип корпуса
TO-204AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
4 В
Число контактов
2
Количество элементов на ИС
1
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Страна происхождения
Mexico
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.