onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204

Код товара RS: 774-3209Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJ11032G
brand-logo
View all in Составные транзисторы Дарлингтона

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-204

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

400

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3,5 В

Высота

8.51мм

Ширина

26.67мм

Размеры

38.86 x 26.67 x 8.51мм

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Длина

38.86мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi MJ11032G NPN Darlington Transistor, 50 A 120 V HFE:400, 2-Pin TO-204
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24P.O.A.
25 - 99P.O.A.
100 - 249P.O.A.
250 - 499P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-204

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

400

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3,5 В

Высота

8.51мм

Ширина

26.67мм

Размеры

38.86 x 26.67 x 8.51мм

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Длина

38.86мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.