ON Semiconductor MJ11032G Пара Дарлингтона

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-204

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

2

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

400

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3,5 В

Высота

8.51мм

Ширина

26.67мм

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

38.86 x 26.67 x 8.51мм

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Длина

38.86мм

Страна происхождения

Mexico