onsemi MJ11016G NPN Darlington Transistor, 30 A 120 V HFE:200, 3-Pin TO-204

Код товара RS: 100-7565Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MJ11016G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-204

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Длина

39.37мм

Высота

8.51мм

Ширина

26.67мм

Размеры

39.37 x 26.67 x 8.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi MJ11016G NPN Darlington Transistor, 30 A 120 V HFE:200, 3-Pin TO-204

P.O.A.

onsemi MJ11016G NPN Darlington Transistor, 30 A 120 V HFE:200, 3-Pin TO-204
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-204

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Длина

39.37мм

Высота

8.51мм

Ширина

26.67мм

Размеры

39.37 x 26.67 x 8.51мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+200 °C

Страна происхождения

Czech Republic

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.