ON Semiconductor MJ11012G Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-204AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Высота
8.51мм
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
21.08 (Dia.) x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-204AA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Высота
8.51мм
Максимальное рассеяние мощности
200 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
21.08 (Dia.) x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.