Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiЛогическая функция
Инвертор
Тип выхода
CMOS
Количество элементов на ИС
1
Вход триггера Шмитта
Нет
Максимальное время задержки распространения при максимальной CL
14.5 ns @ 50 pF
Максимальный выходной ток высокого уровня
-8mA
Максимальный выходной ток низкого уровня
8mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SC-70
Число контактов
5
Семейство логических элементов
VHC
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1мм
Состояние проверки задержки распространения
50пФ
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
1.35мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Длина
2.2мм
Информация о товаре
74VHC1G Family, ON Semiconductor
Advanced 74VHC High-Speed silicon-gate CMOS logic family products from ON Semiconductor offering high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL, whilst maintaining the advantage of CMOS low power dissipation.
74VHC Family
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiЛогическая функция
Инвертор
Тип выхода
CMOS
Количество элементов на ИС
1
Вход триггера Шмитта
Нет
Максимальное время задержки распространения при максимальной CL
14.5 ns @ 50 pF
Максимальный выходной ток высокого уровня
-8mA
Максимальный выходной ток низкого уровня
8mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SC-70
Число контактов
5
Семейство логических элементов
VHC
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
1мм
Состояние проверки задержки распространения
50пФ
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
1.35мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2 В
Длина
2.2мм
Информация о товаре
74VHC1G Family, ON Semiconductor
Advanced 74VHC High-Speed silicon-gate CMOS logic family products from ON Semiconductor offering high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL, whilst maintaining the advantage of CMOS low power dissipation.