Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Длина
10мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
тг 1 832,70
тг 183,27 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 832,70
тг 183,27 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 10 - 90 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
| 100 - 240 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
| 250 - 490 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 500 - 990 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 1000+ | тг 89,40 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Длина
10мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
