onsemi MC1413BDR2G, 7-element NPN Darlington Transistor, 500 mA 50 V HFE:1000, 16-Pin SOIC

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

16

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

Количество элементов на ИС

7

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,6 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

10мм

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

10 x 4 x 1.5мм