ON Semiconductor MBT2222ADW1T1G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
75 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
75 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.