ON Semiconductor MBRD660CTRLG Диод
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальный непрерывный прямой ток
6A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
850мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
75A
Информация о товаре
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
тг 1 743,30
тг 174,33 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 743,30
тг 174,33 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 174,33 | тг 1 743,30 |
| 50 - 90 | тг 151,98 | тг 1 519,80 |
| 100 - 490 | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
| 500 - 990 | тг 143,04 | тг 1 430,40 |
| 1000+ | тг 138,57 | тг 1 385,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальный непрерывный прямой ток
6A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
850мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Кремниевое соединение
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
75A
Информация о товаре
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.