ON Semiconductor MBR1H100SFT3G Диод
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Диод
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
100V
Конфигурация диода
Одиночный
Тип выпрямителя
Переключение
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
40μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
760mV
Минимальная рабочая температура
-65°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
50A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Диод
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOD-123
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
100V
Конфигурация диода
Одиночный
Тип выпрямителя
Переключение
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
40μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
760mV
Минимальная рабочая температура
-65°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
50A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.