LM258DR2G onsemi, Dual Operational, Op Amp 20 kHz, 3 → 32 V, 8-Pin SOIC

Код товара RS: 186-8818Бренд: onsemiПарт-номер производителя: LM258DR2G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип усилителя

Двойное действие

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Тип источника питания

Одинарный

Количество каналов на ИС

2

Число контактов

8

Типичное одиночное напряжение питания

3 → 32 В

Максимальная рабочая частота

20 кГц

Минимальная рабочая температура

-25 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Типичное усиление по напряжению

100 В/мВ

Напряжение смещения

7мВ

Выходной ток

20 (Sink) mA, 40 (Source) mA

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Максимальное входное напряжение

32 В

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Диапазон входного напряжения

3 → 32 В

Входной ток смещения

100нА

Минимальное входное напряжение

3 В

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Длина

5мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

LM258DR2G onsemi, Dual Operational, Op Amp 20 kHz, 3 → 32 V, 8-Pin SOIC

P.O.A.

LM258DR2G onsemi, Dual Operational, Op Amp 20 kHz, 3 → 32 V, 8-Pin SOIC
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип усилителя

Двойное действие

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Тип источника питания

Одинарный

Количество каналов на ИС

2

Число контактов

8

Типичное одиночное напряжение питания

3 → 32 В

Максимальная рабочая частота

20 кГц

Минимальная рабочая температура

-25 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Типичное усиление по напряжению

100 В/мВ

Напряжение смещения

7мВ

Выходной ток

20 (Sink) mA, 40 (Source) mA

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Максимальное входное напряжение

32 В

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Диапазон входного напряжения

3 → 32 В

Входной ток смещения

100нА

Минимальное входное напряжение

3 В

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Длина

5мм