ON Semiconductor KSP2222ABU Транзистор

Код товара RS: 124-1315Бренд: onsemiПарт-номер производителя: KSP2222ABU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

75 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor KSP2222ABU Транзистор

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor KSP2222ABU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

75 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, 40V to 50V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.