ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор

Код товара RS: 806-2762Бренд: onsemiПарт-номер производителя: KSD2012GTU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.16 x 2.54 x 15.87мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать

тг 8 940,00

тг 178,80 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор

тг 8 940,00

тг 178,80 Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

ON Semiconductor KSD2012GTU Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Труба
50 - 50тг 178,80тг 8 940,00
100 - 200тг 138,57тг 6 928,50
250 - 450тг 134,10тг 6 705,00
500+тг 107,28тг 5 364,00
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

10.16 x 2.54 x 15.87мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать