onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 806-4513PБренд: onsemiПарт-номер производителя: KSC5502DTM
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

1200 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

onsemi KSC5502DTM NPN Transistor, 2 A, 600 V, 3-Pin DPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

1200 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.