onsemi KSC5027OTU NPN Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 806-4504Бренд: onsemiПарт-номер производителя: KSC5027OTU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

1100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.9 x 4.5 x 18.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

тг 2 905,50

тг 290,55 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi KSC5027OTU NPN Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 2 905,50

тг 290,55 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi KSC5027OTU NPN Transistor, 3 A, 800 V, 3-Pin TO-220

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 290,55тг 2 905,50
50 - 90тг 268,20тг 2 682,00
100 - 490тг 223,50тг 2 235,00
500 - 990тг 192,21тг 1 922,10
1000+тг 160,92тг 1 609,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

800 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

1100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

9.9 x 4.5 x 18.95мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.