ON Semiconductor KDT00030TR Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКоличество каналов
1
Максимальный ток освещения
1100мкА
Максимальный темновой ток
100нА
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
1.7 x 0.8 x 0.6мм
Максимальная определяемая длина волны
630нм
Спектральный диапазон чувствительности
Максимум 630 нм
Длина
1.7мм
Ширина
0.8мм
Высота
0.6мм
Информация о товаре
ChipLED Phototransistor Photo Detector, KDT00030
Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКоличество каналов
1
Максимальный ток освещения
1100мкА
Максимальный темновой ток
100нА
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
1.7 x 0.8 x 0.6мм
Максимальная определяемая длина волны
630нм
Спектральный диапазон чувствительности
Максимум 630 нм
Длина
1.7мм
Ширина
0.8мм
Высота
0.6мм
Информация о товаре