Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПодтип
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Тип канала
Тип N
Тип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-92
Ток между истоком и стоком (Ids)
2 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
100Ом
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
5.2мм
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Производственная упаковка (Коробка)
50
P.O.A.
Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Коробка)
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiПодтип
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Тип канала
Тип N
Тип продукции
JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-92
Ток между истоком и стоком (Ids)
2 mA
Минимальная рабочая температура
-55°C
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
625mW
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
100Ом
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Длина
5.2мм
Материал каски/сварочной маски
5.33мм
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
