Transistor, Fairchild, J109

Код товара RS: 806-1750PБренд: onsemiПарт-номер производителя: J109
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

min. 40mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

85пФ

Емкость исток-затвор

85пФ

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.58мм

Высота

4.58мм

Ширина

3.86мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, J109
Select packaging type

P.O.A.

Transistor, Fairchild, J109
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

min. 40mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-92

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

85пФ

Емкость исток-затвор

85пФ

Размеры

4.58 x 3.86 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.58мм

Высота

4.58мм

Ширина

3.86мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.