Transistor, Fairchild, J109

Код товара RS: 806-1750PБренд: onsemiПарт-номер производителя: J109
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Корпус

TO-92

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-25 V

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

12Ом

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

40 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3.86 mm

Длина

4.58мм

Материал каски/сварочной маски

4.58мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Просмотреть все в ПТУП

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, J109
Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Bag) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, J109

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Сумка)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Корпус

TO-92

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

625mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-25 V

Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)

12Ом

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

40 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3.86 mm

Длина

4.58мм

Материал каски/сварочной маски

4.58мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.