onsemi ISL9V3040D3ST, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface

Код товара RS: 807-8758PБренд: onsemiПарт-номер производителя: ISL9V3040D3ST
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Ignition IGBT

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

21A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

430V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±10 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.2V

Минимальная рабочая температура

-40°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

EcoSPARK

Номинальная энергия

300mJ

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Просмотреть все в БТИЗ

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi ISL9V3040D3ST, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi ISL9V3040D3ST, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Ignition IGBT

Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)

21A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

430V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

150W

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Тип канала

Тип N

Число контактов

3

Скорость переключения

1MHz

Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)

±10 V

Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))

2.2V

Минимальная рабочая температура

-40°C

Максимальная рабочая температура

175°C

Стандарты/одобрения

RoHS

Серия

EcoSPARK

Номинальная энергия

300mJ

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.