onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Код товара RS: 862-9347Бренд: onsemiПарт-номер производителя: ISL9V2040D3ST
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 2 480,85

тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 480,85
10тг 4 961,70
15тг 7 442,55
20тг 9 923,40
25тг 12 404,25
30тг 14 885,10
35тг 17 365,95
40тг 19 846,80
45тг 22 327,65
50тг 19 221,00
55тг 21 143,10
60тг 23 065,20
65тг 24 987,30
70тг 26 909,40
75тг 28 831,50

тг 2 480,85

тг 496,17 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 480,85
10тг 4 961,70
15тг 7 442,55
20тг 9 923,40
25тг 12 404,25
30тг 14 885,10
35тг 17 365,95
40тг 19 846,80
45тг 22 327,65
50тг 19 221,00
55тг 21 143,10
60тг 23 065,20
65тг 24 987,30
70тг 26 909,40
75тг 28 831,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 496,17тг 2 480,85
50 - 495тг 384,42тг 1 922,10
500 - 995тг 312,90тг 1 564,50
1000 - 2495тг 241,38тг 1 206,90
2500+тг 214,56тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.