ON Semiconductor HGTG30N60B3 IGBT

Код товара RS: 145-5668Бренд: onsemiПарт-номер производителя: HGTG30N60B3
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor HGTG30N60B3 IGBT

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor HGTG30N60B3 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.