onsemi P-Channel MOSFET, 5.7 A, 200 V, 3-Pin DPAK FQD7P20TM
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
690 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 290 550,00
тг 116,22 Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
тг 290 550,00
тг 116,22 Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | тг 116,22 | тг 290 550,00 |
| 12500 - 22500 | тг 116,22 | тг 290 550,00 |
| 25000+ | тг 111,75 | тг 279 375,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
690 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
55 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.