onsemi P-Channel MOSFET, 11.5 A, 200 V, 3-Pin D2PAK FQB12P20TM

Код товара RS: 671-0860Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FQB12P20TM
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

470 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 11.5 A, 200 V, 3-Pin D2PAK FQB12P20TM
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 972,55
10тг 5 945,10
15тг 8 917,65
20тг 11 890,20
25тг 11 510,25
30тг 13 812,30
35тг 16 114,35
40тг 18 416,40
45тг 20 718,45
50тг 23 020,50
55тг 25 322,55
60тг 27 624,60
65тг 29 926,65
70тг 32 228,70
75тг 34 530,75

тг 2 972,55

тг 594,51 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 11.5 A, 200 V, 3-Pin D2PAK FQB12P20TM

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 2 972,55
10тг 5 945,10
15тг 8 917,65
20тг 11 890,20
25тг 11 510,25
30тг 13 812,30
35тг 16 114,35
40тг 18 416,40
45тг 20 718,45
50тг 23 020,50
55тг 25 322,55
60тг 27 624,60
65тг 29 926,65
70тг 32 228,70
75тг 34 530,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 594,51тг 2 972,55
25 - 95тг 460,41тг 2 302,05
100 - 245тг 371,01тг 1 855,05
250 - 495тг 366,54тг 1 832,70
500+тг 330,78тг 1 653,90

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

470 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.