Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
IGBT, MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
6
Тип корпуса
SOIC
Типичное время нарастания
38нс
Максимальный ток на входе
10 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
24нс
Серия
FOD819
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип монтажа
Поверхностный монтаж
Выходное устройство
IGBT, MOSFET
Максимальное прямое напряжение
1.8V
Количество каналов
1
Количество контактов
6
Тип корпуса
SOIC
Типичное время нарастания
38нс
Максимальный ток на входе
10 мА
Напряжение изоляции
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Логический вывод
Да
Типичное время затухания
24нс
Серия
FOD819