ON Semiconductor FJPF5027OTU Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15, 20
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
15 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.16 x 4.7 x 15.87мм
Информация о товаре
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15, 20
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
15 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
10.16 x 4.7 x 15.87мм
Информация о товаре
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.