ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером

Код товара RS: 864-8950Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FJP2160DTU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Максимальный ток базы

1A

Число контактов

3

Категория

Silicon Transistor

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.95мм

Длина

9.9мм

Информация о товаре

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 508,95

тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером
Select packaging type

тг 3 508,95

тг 701,79 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

ON Semiconductor FJP2160DTU Переключаемый эмиттером
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 701,79тг 3 508,95
50 - 245тг 545,34тг 2 726,70
250 - 495тг 447,00тг 2 235,00
500 - 995тг 411,24тг 2 056,20
1000+тг 366,54тг 1 832,70
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5

Максимальный ток базы

1A

Число контактов

3

Категория

Silicon Transistor

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.95мм

Длина

9.9мм

Информация о товаре

ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor

Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать