ON Semiconductor FJP2145TU Переключаемый эмиттером
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
120 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
8
Максимальный ток базы
1.5A
Число контактов
3
Категория
Мощный транзистор
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
10.67мм
Информация о товаре
ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 281,61 | тг 2 816,10 |
| 50 - 90 | тг 232,44 | тг 2 324,40 |
| 100 - 490 | тг 219,03 | тг 2 190,30 |
| 500 - 990 | тг 201,15 | тг 2 011,50 |
| 1000+ | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
120 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
8
Максимальный ток базы
1.5A
Число контактов
3
Категория
Мощный транзистор
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
10.67мм
Информация о товаре
ESBC™ Power Transistor, Fairchild Semiconductor
Bipolar NPN power transistors designed for use in ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) configurations together with appropriate power MOSFET devices. This power switch configuration provides increased efficiency, flexibility and robustness and driving power is minimized due to the absence of Miller capacitance in the design.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.