onsemi FJP13009H2TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 739-0420PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FJP13009H2TU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 9.2мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJP13009H2TU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

onsemi FJP13009H2TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

onsemi FJP13009H2TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJP13009H2TU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

6

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 9.2мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FJP13009H2TU Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)