ON Semiconductor FJP13009H2TU Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
6
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.9 x 4.5 x 9.2мм
Информация о товаре
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
6
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.9 x 4.5 x 9.2мм
Информация о товаре
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.