onsemi FJB3307DTM NPN Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Код товара RS: 772-9244PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FJB3307DTM
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi FJB3307DTM NPN Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi FJB3307DTM NPN Transistor, 8 A, 400 V, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.