ON Semiconductor FJA13009TU Транзистор

Код товара RS: 124-1316Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FJA13009TU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor FJA13009TU Транзистор

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor FJA13009TU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

12 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Информация о товаре

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.