onsemi FGY75T95LQDTOS IGBT 950 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 195-2575Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGY75T95LQDT
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

950 V

Максимальное рассеяние мощности

453 ВТ.

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGY75T95LQDTOS IGBT 950 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGY75T95LQDTOS IGBT 950 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

950 V

Максимальное рассеяние мощности

453 ВТ.

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C