onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Код товара RS: 181-1929Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGH75T65SQDNL4
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5100пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

160µJ

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Select packaging type

P.O.A.

onsemi FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5100пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

160µJ

Страна происхождения

China