ON Semiconductor FGH75T65SQDNL4 IGBT

Brand

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

4

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5.2 x 22.74мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

160µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

5100пФ

Страна происхождения

China